RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Puntuación global
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
54
En -116% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.3
9.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
54
25
Velocidad de lectura, GB/s
9.2
14.3
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
12.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2105
2870
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link