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Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Compara
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
32
En 16% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.1
12.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.1
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
32
Velocidad de lectura, GB/s
12.2
16.1
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
12.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1763
2968
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Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
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Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
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