RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Puntuación global
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
54
En -86% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.9
9.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.8
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
54
29
Velocidad de lectura, GB/s
9.2
16.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
13.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2105
3285
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link