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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Puntuación global
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
54
En -86% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.9
9.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.8
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
54
29
Velocidad de lectura, GB/s
9.2
16.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
13.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2105
3285
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
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