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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
总分
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
54
左右 -86% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.9
9.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.8
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
29
读取速度,GB/s
9.2
16.9
写入速度,GB/s
8.1
13.8
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2105
3285
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM的比较
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
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