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Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
比较
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB vs Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
总分
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
总分
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
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需要考虑的原因
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
39
左右 -18% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.5
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.4
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
33
读取速度,GB/s
12.8
16.5
写入速度,GB/s
7.4
13.4
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1770
3160
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
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