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Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
比较
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB vs Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
总分
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
总分
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
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需要考虑的原因
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
39
左右 -18% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.5
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.4
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
33
读取速度,GB/s
12.8
16.5
写入速度,GB/s
7.4
13.4
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1770
3160
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
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