RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
54
En -93% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.3
9.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.4
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
54
28
Velocidad de lectura, GB/s
9.2
17.3
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
13.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2105
3299
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link