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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
54
左右 -93% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.3
9.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.4
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
28
读取速度,GB/s
9.2
17.3
写入速度,GB/s
8.1
13.4
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2105
3299
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
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Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
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AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kllisre 0000 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
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