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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
总分
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
59
80
左右 26% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
4
14.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.1
2,076.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
80
读取速度,GB/s
4,723.5
14.7
写入速度,GB/s
2,076.1
8.1
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
741
1775
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB RAM的比较
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Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB RAM的比较
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
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