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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
54
En -100% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.1
9.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.0
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
54
27
Velocidad de lectura, GB/s
9.2
14.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
11.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2105
2552
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
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