RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
54
En -93% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.4
9.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.0
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
54
28
Velocidad de lectura, GB/s
9.2
18.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
14.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2105
3420
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link