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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
54
En -59% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.4
9.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.3
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
54
34
Velocidad de lectura, GB/s
9.2
17.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
14.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2105
3138
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
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Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
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