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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Puntuación global
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
45
En -36% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15
11.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.0
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
33
Velocidad de lectura, GB/s
11.9
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
11.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2077
2637
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
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