RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Сравнить
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB против Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
45
Около -36% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15
11.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.0
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
33
Скорость чтения, Гб/сек
11.9
15.0
Скорость записи, Гб/сек
8.1
11.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2077
2637
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link