RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Puntuación global
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
52
54
En -4% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.5
9.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.1
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
54
52
Velocidad de lectura, GB/s
9.2
20.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
10.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2105
2472
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston HP24D4R7D4MAM-32 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link