RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Puntuación global
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
54
67
En 19% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.3
9.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.2
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
54
67
Velocidad de lectura, GB/s
9.2
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
8.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2105
2042
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link