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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Comparar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Pontuação geral
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Pontuação geral
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
54
67
Por volta de 19% menor latência
Razões a considerar
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.3
9.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.2
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
54
67
Velocidade de leitura, GB/s
9.2
15.3
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
8.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2105
2042
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
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Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
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Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
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