RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Comparar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Pontuação geral
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
54
Por volta de -93% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.9
9.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.2
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
54
28
Velocidade de leitura, GB/s
9.2
18.9
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
16.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2105
3835
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Elpida KingTiger 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905403-126.A02LF 2GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CM3X2GSD1066 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMP32GX3M4X1600C10 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link