RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
54
En -116% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.3
9.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.7
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
54
25
Velocidad de lectura, GB/s
9.2
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
12.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2105
2704
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link