RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Compara
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Puntuación global
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Puntuación global
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
51
En -70% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.3
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
23400
12800
En 1.83 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
30
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
12.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
23400
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2208
2709
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link