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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
总分
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
51
左右 -70% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.3
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
23400
12800
左右 1.83 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
30
读取速度,GB/s
9.8
16.0
写入速度,GB/s
8.1
12.3
内存带宽,mbps
12800
23400
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
排名PassMark (越多越好)
2208
2709
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB RAM的比较
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
AMD R534G1601U1S 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
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