RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
54
122
En 56% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.1
5.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
9.4
9.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
54
122
Velocidad de lectura, GB/s
9.2
9.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
5.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2105
1411
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link