RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
54
122
Около 56% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.1
5.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
9.4
9.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
122
Скорость чтения, Гб/сек
9.2
9.4
Скорость записи, Гб/сек
8.1
5.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2105
1411
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
Corsair CMT32GX5M2X5600C36 16GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link