RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Сравнить
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB против Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
-->
Средняя оценка
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
16.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
96
Около -231% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.9
1,336.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
96
29
Скорость чтения, Гб/сек
2,725.2
16.7
Скорость записи, Гб/сек
1,336.0
12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
438
3273
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KVR533D2N4 512MB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Mushkin 991586 2GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link