RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Сравнить
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB против Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
-->
Средняя оценка
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
16.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
96
Около -231% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.9
1,336.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
96
29
Скорость чтения, Гб/сек
2,725.2
16.7
Скорость записи, Гб/сек
1,336.0
12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
438
3273
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link