RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Porównaj
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Wynik ogólny
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
96
Wokół strony -231% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
1,336.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
96
29
Prędkość odczytu, GB/s
2,725.2
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,336.0
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
438
3273
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link