RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Сравнить
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB против Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
-->
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Средняя оценка
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
70
Около 61% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.7
15.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
7.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
70
Скорость чтения, Гб/сек
16.7
15.7
Скорость записи, Гб/сек
11.8
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
21300
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2756
1934
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link