RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Сравнить
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB против Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Средняя оценка
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
70
Около 59% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.9
15.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
7.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
70
Скорость чтения, Гб/сек
16.9
15.7
Скорость записи, Гб/сек
12.0
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2601
1934
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
INTENSO 5641160 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kllisre 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link