RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сравнить
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
-->
Средняя оценка
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,066.5
12.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
49
Около -104% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
24
Скорость чтения, Гб/сек
4,577.1
16.0
Скорость записи, Гб/сек
2,066.5
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
737
2925
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Сравнения RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link