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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Puntuación global
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Razones a tener en cuenta
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
54
En -64% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.8
9.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
54
33
Velocidad de lectura, GB/s
9.2
17.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
12.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2105
3285
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
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