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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
54
En -54% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.4
9.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
54
35
Velocidad de lectura, GB/s
9.2
15.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
11.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2105
2926
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
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Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
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