RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB против Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
54
Около -54% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.4
9.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
35
Скорость чтения, Гб/сек
9.2
15.4
Скорость записи, Гб/сек
8.1
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2105
2926
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Samsung M378B1G73EB0-YK0 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link