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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G6E1 16GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G6E1 16GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Puntuación global
Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G6E1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
9.2
8.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.1
5.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G6E1 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
39
54
En -38% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G6E1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
54
39
Velocidad de lectura, GB/s
9.2
8.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
5.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
12800
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2105
1795
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G6E1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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