RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Puntuación global
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
54
En -80% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.1
9.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.3
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
54
30
Velocidad de lectura, GB/s
9.2
20.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
16.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2105
3796
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link