RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Puntuación global
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
54
En -46% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14
9.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.3
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
54
37
Velocidad de lectura, GB/s
9.2
14.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
9.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2105
2327
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link