RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB против SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Средняя оценка
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
54
Около -46% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14
9.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.3
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
37
Скорость чтения, Гб/сек
9.2
14.0
Скорость записи, Гб/сек
8.1
9.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2105
2327
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link