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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Puntuación global
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
54
101
En 47% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.1
7.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.2
9.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
54
101
Velocidad de lectura, GB/s
9.2
14.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
7.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2105
1313
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
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