RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Puntuación global
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
54
En -69% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.8
9.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.1
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
54
32
Velocidad de lectura, GB/s
9.2
16.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
12.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2105
2641
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link