RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Puntuación global
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
63
En -174% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.8
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.9
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
23
Velocidad de lectura, GB/s
8.1
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
7.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1945
2527
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link