RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
63
En -142% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.3
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.9
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
26
Velocidad de lectura, GB/s
8.1
14.3
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
8.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1945
2384
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Mushkin 996902 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link