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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
总分
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
63
左右 -142% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.3
8.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.9
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
26
读取速度,GB/s
8.1
14.3
写入速度,GB/s
7.5
8.9
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1945
2384
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
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