RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
63
En -125% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.1
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
28
Velocidad de lectura, GB/s
8.1
16.1
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
12.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 14 15
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1945
3010
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link