RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
63
En -163% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.6
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.6
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
24
Velocidad de lectura, GB/s
8.1
16.6
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
12.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1945
2969
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link