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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Pontuação geral
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Pontuação geral
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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Razões a considerar
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
63
Por volta de -163% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.6
8.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.6
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
63
24
Velocidade de leitura, GB/s
8.1
16.6
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
12.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1945
2969
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Comparações de RAM
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB Comparações de RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
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G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
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