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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
48
63
En -31% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.5
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.3
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
48
Velocidad de lectura, GB/s
8.1
17.5
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
8.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1945
2196
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
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Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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