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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
63
En -85% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.2
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.1
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
34
Velocidad de lectura, GB/s
8.1
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
13.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1945
3020
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
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