RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB против Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
63
Около -85% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.2
8.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.1
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
34
Скорость чтения, Гб/сек
8.1
16.2
Скорость записи, Гб/сек
7.5
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1945
3020
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Сравнения RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4B2800C14 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Ramaxel Technology RMUA5180MH78HBF-2666 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link