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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Compara
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Puntuación global
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Puntuación global
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
63
En -117% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.4
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.0
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
29
Velocidad de lectura, GB/s
8.1
15.4
Velocidad de escritura, GB/s
7.5
13.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1945
2854
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
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