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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Compara
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Puntuación global
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Puntuación global
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
38
En -81% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.1
15.5
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
21
Velocidad de lectura, GB/s
15.5
18.1
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
12.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2283
3211
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
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Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
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