RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
38
Wokół strony -81% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.1
15.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
21
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
3211
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Kingston MSI16D3LS1KFG/4G 4GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link