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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Good Wealth Technology Ltd. 8GB
総合得点
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
総合得点
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
バグを報告する
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
19200
周辺 1.33% 高帯域
考慮すべき理由
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
21
38
周辺 -81% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
18.1
15.5
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
38
21
読み出し速度、GB/s
15.5
18.1
書き込み速度、GB/秒
12.0
12.0
メモリ帯域幅、mbps
25600
19200
Other
商品説明
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2283
3211
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB RAMの比較
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
最新の比較
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Good Wealth Technology Ltd. 8GB
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Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
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