Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB

Puntuación global
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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Puntuación global
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Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB

Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    43 left arrow 63
    En -47% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    11.4 left arrow 8.1
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    9.5 left arrow 7.5
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    17000 left arrow 12800
    En 1.33 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    63 left arrow 43
  • Velocidad de lectura, GB/s
    8.1 left arrow 11.4
  • Velocidad de escritura, GB/s
    7.5 left arrow 9.5
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • Descripción
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    1945 left arrow 2532
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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